背景
SUSSMA6光刻机是设计用于实验室研发，小批量生产的高分辨率光刻系统。该光刻机供了最好的基片适应性，可夹持不同厚度不同形状的晶片。同时标准尺寸基片最大直径为150mm。处理最大厚度可达6mm的晶片。SUSS MA6提供了各种接触式曝光程序。X-和Y-向位移精度在0.1μm以下。使用400nm的宽带光源曝光波长在真空模式下分辨率为0.7μm。同时可以选用不同的对准装置，分离视场顶部对准显微镜或视频显微镜，BSA底面对准显微镜对准方式。是目前实验室光刻技术中最为常用和重要的光刻设备。
技术指标：
Wafer size：2inch，4inch，6inch and un-normal small wafers
Exposure mode：（Vac, hard, soft, proximity）
Minimum line width：0.7μm（Vac）
Overlay Accuracy：0.5μm