科研进展

我室更新光刻设备---六英寸双面对准光刻机(SUSS MA6/BA6)

背景

SUSSMA6光刻机是设计用于实验室研发,小批量生产的高分辨率光刻系统。该光刻机供了最好的基片适应性,可夹持不同厚度不同形状的晶片。同时标准尺寸基片最大直径为150mm。处理最大厚度可达6mm的晶片。SUSS MA6提供了各种接触式曝光程序。X-和Y-向位移精度在0.1μm以下。使用400nm的宽带光源曝光波长在真空模式下分辨率为0.7μm。同时可以选用不同的对准装置,分离视场顶部对准显微镜或视频显微镜,BSA底面对准显微镜对准方式。是目前实验室光刻技术中最为常用和重要的光刻设备。

技术指标:

Wafer size:2inch,4inch,6inch and un-normal small wafers

Exposure mode:(Vac, hard, soft, proximity)

Minimum line width:0.7μm(Vac)

Overlay Accuracy:0.5μm