我室新添反应离子刻蚀设备

背景:

设备为Samco 10NR，其原理是利用含有F基的等离子体与SIO2及SINx进行反应，达到刻蚀的目的。本设备所提供的气体有CHF3、CF4、Ar、O2、SF6，适用于8英寸单片及不规则小片的SiO2和Si3N4的刻蚀。

技术指标：

装片系统：8英寸衬底托，小片兼容

可刻蚀材料：SiO₂，SiN_x

刻蚀均匀性：±5%以内，

刻蚀速率：≤500nm/min。