背景:
通入反应气体使用电感耦合等离子体辉光放电将其分解，产生的具有强化学活性的等离子体在电场的加速作用下移动到样品表面，对样品表面既进行化学反应生成挥发性气体，又有一定的物理刻蚀作用。因为等离子体源与射频加速源分离，所以等离子体密度可以更高，加速能力也可以加强，以获得更高的刻蚀速率，以及更好的各向异性刻蚀。另外，由于该系统使用了Cl基和Br基的刻蚀气体，因此该ICP系统适合于对Ⅲ-Ⅴ族化合物材料进行刻蚀。
技术指标：
ICP离子源：0-3000W
RF射频源：0-600W
装片：1片四英寸，向下兼容
基底刻蚀温度：0℃-200℃可调。
刻蚀气体：BCl3、Cl2、HBr、Ar、O2
可刻蚀材料包括：GaN、GaAs、InP等Ⅲ-Ⅴ族化合物材料