种明

种明，正高级工程师

1982年毕业于北京工业大学半导体器件专业。长期从事微电子光电子器件与工艺研究。先后参与和承担：国家重点技术改造项目（骨干）、特种集成电路的研究项目（骨干）、国家85攻关研制项目（副组长）、国家火炬计划子项目（负责）、国家863项目两项（负责）、科学院重大项目子项目（负责）、国防项目（主要负责）、科学院方向性项目（负责）、科学院重点部署项目（负责）等。

 1999年应日本学术振兴会邀请作为高级访问学者，到日本德岛大学等从事GaN基蓝光激光器的关键技术研究 。 获得2006年度王宽诚教育基金会奖励，作为高级访问学者2007年在加拿大国立研究委员会（NRC）微结构科学研究所访问研究。开展量子阱红外探测器研究。

“十五”期间，研发完成了全套氮化镓基蓝光激光器制备技术，并用该技术于2004年成功制备出中国大陆首支脉冲激射的蓝光激光器。同期作为课题负责人承担863项目‘单色及双色大面阵量子阱红外探测器’，课题组在国内首先制备出具有自主知识产权的长波160×128 GaAs/AlGaAs量子阱红外焦平面器件和中/长波双色量子阱红外探测器及160×128元双色红外探测器芯片。该课题获863新材料技术领域优秀课题。

2006-2008年，负责长波320×256 GaAs/AlGaAs 量子阱红外探测器的研究，课题组于2007年成功制备出长波320×256 GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器并实现红外成像。2012年，课题组又成功研制出128×128 GaAs/AlGaAs高占空比、三电极中/长波双色量子阱红外探测器芯片，该芯片完成微杜瓦封装并实现双色成像。

 第十一届、第十二届全国政协委员；中国民主同盟第十一届中央委员兼科技委副主任；中国民主同盟北京市委员会常务委员兼科技委主任；中国民主同盟中科院委员会主任委员。